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三極管和MOS管下拉電阻的作用
三極管屬于電流型驅(qū)動(dòng)元器件,因此一般在基極都會(huì)串一個(gè)限流電阻,一般小于等于10K,但是在基極為什么會(huì)下拉一個(gè)電阻呢?舉例說(shuō)明。如下圖,是溫度開(kāi)關(guān)控制馬達(dá)電路圖。
2022-12-29
三極管 MOS管 下拉電阻
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2022 中國(guó)(深圳)集成電路峰會(huì)隆重召開(kāi)
【深圳坪山格蘭云天大酒店,2022年12月29日,深圳市半導(dǎo)體協(xié)會(huì)】由深圳市人民政府聯(lián)合中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)、“核高基”國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)總體專(zhuān)家組共同舉辦的以“創(chuàng)新強(qiáng)鏈,雙驅(qū)發(fā)展”為主題的“2022 中國(guó)(深圳)集成電路峰會(huì)”(以下簡(jiǎn)稱(chēng):ICS2022 峰會(huì)),于2022年12月29日至30日,在深...
2022-12-29
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ICS 2022峰會(huì)直通車(chē)丨“線(xiàn)上線(xiàn)下”相結(jié)合,高效務(wù)實(shí)開(kāi)峰會(huì)
?為減少人員聚集,降低疫情傳播風(fēng)險(xiǎn) ,2022年中國(guó)(深圳)集成電路峰會(huì)(以下簡(jiǎn)稱(chēng):ICS 2022峰會(huì))將以“線(xiàn)上會(huì)議+線(xiàn)下會(huì)議”方式舉行。由深圳市人民政府聯(lián)合中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)、“核高基”國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)總體專(zhuān)家組擬定以“創(chuàng)新強(qiáng)鏈,雙驅(qū)發(fā)展”為主題,于2022年12月29日-30日在深圳...
2022-12-28
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數(shù)字波束成形相控陣中RF電子器件的物理尺寸分配
相控陣?yán)走_(dá)和有源電子掃描陣列(AESA)已經(jīng)在航空航天和國(guó)防市場(chǎng)中使用和部署了十多年。這一時(shí)期主要從模擬波束成形系統(tǒng)開(kāi)始,并不斷遷移到更高水平的數(shù)字波束成形。系統(tǒng)工程目標(biāo)不斷需要接近元素的數(shù)字波束成形實(shí)現(xiàn),以實(shí)現(xiàn)的靈活性和可編程性。
2022-12-28
數(shù)字波束成形相控陣 RF電子器件
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全面了解和分析開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器噪聲
本文將介紹幾種不同類(lèi)型的固有開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器噪聲:開(kāi)關(guān)紋波、寬帶噪聲和高頻尖峰。還將討論和分析開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的PSRR,因?yàn)樗鼈兣c輸入噪聲抑制有關(guān)。在設(shè)計(jì)低噪聲開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器時(shí),全面了解開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器噪聲非常重要,這樣才能去除LDO后電壓調(diào)節(jié)器,從而提高功率轉(zhuǎn)換器效率,節(jié)省解決方案尺寸并降低設(shè)計(jì)成本。
2022-12-28
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 噪聲
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噪聲并非一無(wú)是處:如何將噪聲用于測(cè)試和電路應(yīng)用
電子工程師和技術(shù)人員習(xí)慣將噪聲視為負(fù)面因素,因而在元器件選擇、電路設(shè)計(jì)和電路板布局過(guò)程中會(huì)進(jìn)行優(yōu)化以實(shí)現(xiàn)低噪聲。事實(shí)上,隨機(jī)或偽隨機(jī)噪聲有時(shí)候很有用。本文將進(jìn)一步說(shuō)明為什么要利用噪聲以及如何利用。
2022-12-27
噪聲 測(cè)試應(yīng)用 電路應(yīng)用
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淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)
功率半導(dǎo)體作為電力電子行業(yè)的驅(qū)動(dòng)力之一,在過(guò)去幾十年里硅(Si)基半導(dǎo)體器件以其不斷優(yōu)化的技術(shù)和成本優(yōu)勢(shì)主導(dǎo)了整個(gè)電力電子行業(yè),但它也正在接近其理論極限,難以滿(mǎn)足系統(tǒng)對(duì)高效率、高功率密度的需求。而當(dāng)下碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體以其優(yōu)異的電學(xué)和熱學(xué)特性使得功率半導(dǎo)體器件...
2022-12-26
碳化硅 功率半導(dǎo)體
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防御保護(hù)物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)的技術(shù)方法
如今,全球已有100億物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)連接入網(wǎng),達(dá)到十多年前的十倍之多,而且該趨勢(shì)還將繼續(xù)有增無(wú)減。這種增長(zhǎng)也為攻擊者帶來(lái)了更多的可趁之機(jī)。據(jù)估計(jì),網(wǎng)絡(luò)攻擊導(dǎo)致的年度成本從幾百億到上萬(wàn)億美元不等,而且這個(gè)數(shù)字還在不斷上升。因此,安全考慮因素目前對(duì)于繼續(xù)成功擴(kuò)展物聯(lián)網(wǎng)至關(guān)重要,而物聯(lián)網(wǎng)安...
2022-12-26
物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn) 安全I(xiàn)C ADI
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使用TDS瞬態(tài)分流抑制器,實(shí)現(xiàn)可靠ESD和EOS保護(hù),完整攻略在此!
隨著工業(yè)4.0、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT) 和5G電話(huà)技術(shù)的普及,使得越來(lái)越多的更多復(fù)雜的電子設(shè)備部署在了更惡劣、更難進(jìn)入的環(huán)境中。這有助于在工業(yè)機(jī)器人、IO-Link接口、工業(yè)傳感器和IIoT設(shè)備、可編程邏輯控制器 (PLC) 和以太網(wǎng)供電 (PoE) 等應(yīng)用中進(jìn)行可重復(fù)的、確定性靜電放電 (ESD) 和電氣過(guò)應(yīng)力 (EOS)...
2022-12-23
TDS瞬態(tài)分流抑制器 ESD保護(hù) EOS保護(hù)
- 電磁干擾下的生存指南:電流與電壓的底層技術(shù)博弈
- 2025機(jī)器人+應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)鏈新一輪加速發(fā)展藍(lán)皮書(shū)》電子版限免下載!
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