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EMC基礎(chǔ)知識(shí):頻譜基礎(chǔ)
作為基礎(chǔ)內(nèi)容,先簡(jiǎn)單介紹一下“何謂頻譜?”。根據(jù)日文版“大英百科全書 小項(xiàng)目版(支持電子版)”的解釋,“將電磁波分解為正弦波分量,并按波長(zhǎng)順序排列的波譜”,將該釋義擴(kuò)展開(kāi)來(lái)就是“將具有復(fù)雜組成的東西分解為單純成分,并把這些成分按其特征量的大小依序排列(部分省略)”。
2021-03-17
EMC 頻譜
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EMC基礎(chǔ)知識(shí):差模噪聲與共模噪聲
在本系列文章的第一篇“何謂EMC”中曾提到過(guò)電磁干擾EMI大致可分為“傳導(dǎo)噪聲”和“輻射噪聲”兩種。其中,傳導(dǎo)噪聲根據(jù)傳導(dǎo)方式可分為“差模(常模)噪聲”和“共模噪聲”兩種。本文將對(duì)這兩種噪聲進(jìn)行介紹。
2021-03-17
EMC 差模噪聲 共模噪聲
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雙低邊驅(qū)動(dòng)芯片NSD1025在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中有何優(yōu)勢(shì)
2021年3月15日-隨著5G通信與新能源車的普及,人們對(duì)高效率電源的需求越來(lái)越多。而提升電源轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵因素就在于開(kāi)關(guān)電源中的功率部分。
2021-03-17
雙低邊驅(qū)動(dòng)芯片 NSD1025 開(kāi)關(guān)電源
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如何使用多路放大器通道隔離度參數(shù)與絕對(duì)最大額定值?
放大器的通道隔離度(MULTIPLE AMPLIFIERS CHANNEL SEPARATION,Cs),用于評(píng)估通道之間干擾程度,它定義為多通道放大器中,被驅(qū)動(dòng)通道的輸出電壓改變量與其他通道的隔離程度。單位為分貝。
2021-03-16
多路放大器 通道隔離度參數(shù)
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萊迪思Propel幫助設(shè)計(jì)人員快速創(chuàng)建基于處理器的系統(tǒng)
幾乎所有的電子設(shè)計(jì)師和嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員都聽(tīng)過(guò)現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)。對(duì)于實(shí)際的FPGA器件,設(shè)計(jì)人員和開(kāi)發(fā)人員都知道它擁有可編程架構(gòu),能夠?qū)ζ溥M(jìn)行配置來(lái)而執(zhí)行想要的功能,但他們的了解可能僅限于此。同樣,當(dāng)涉及創(chuàng)建一個(gè)可以在FPGA上實(shí)現(xiàn)的設(shè)計(jì)時(shí),他們可能聽(tīng)過(guò)硬件描述語(yǔ)言(HDL)和寄...
2021-03-16
萊迪思 Propel 處理器
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約起來(lái)!2021全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大會(huì)正式啟動(dòng)
數(shù)字經(jīng)濟(jì)是全球未來(lái)的發(fā)展方向,正日益成為我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的主形態(tài)。為響應(yīng)國(guó)家號(hào)召,加快數(shù)字化轉(zhuǎn)型,大力發(fā)展數(shù)字經(jīng)濟(jì),進(jìn)一步提升數(shù)字經(jīng)濟(jì)核心產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力,激發(fā)對(duì)經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的引領(lǐng)賦能作用,由深圳市工業(yè)和信息化局和深圳市福田區(qū)人民政府指導(dǎo)、高科技行業(yè)門戶OFweek維科網(wǎng)主辦的“2021全球數(shù)字經(jīng)...
2021-03-15
數(shù)字經(jīng)濟(jì) 物聯(lián)網(wǎng) 5G通信
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如何選取輸入電源Y電容?
隔離電源在初次級(jí)上加Y電容是為了給次級(jí)的共模電流提供一個(gè)回路到初級(jí),減少共模電流對(duì)輸出的影響。有時(shí)候Y電容串接在大電解電容的正和或者是地之間,這都是可以的。有時(shí)候原副邊串兩個(gè)Y電容是為了提供更高的耐壓。
2021-03-15
電源 Y電容
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詳解PWM驅(qū)動(dòng)MOS管H橋電路
H橋是一個(gè)典型的直流電機(jī)控制電路,因?yàn)樗碾娐沸螤羁崴谱帜窰,故得名與“H橋”。4個(gè)三極管組成H的4條垂直腿,而電機(jī)就是H中的橫杠(注意:圖中只是簡(jiǎn)略示意圖,而不是完整的電路圖,其中三極管的驅(qū)動(dòng)電路沒(méi)有畫出來(lái))。
2021-03-15
PWM驅(qū)動(dòng) MOS管 H橋電路
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放大器靜態(tài)功耗,輸出級(jí)晶體管功耗與熱阻的影響評(píng)估
放大器參數(shù)的性能通常會(huì)受溫度影響,而溫度的變化來(lái)源包括環(huán)境溫度波動(dòng),以及芯片自身總功耗和散熱能力限制。其中放大器的總功耗包括靜態(tài)功耗、輸出級(jí)晶體管功耗,本篇將討論二者與熱阻參數(shù)對(duì)溫度影響的評(píng)估方法。
2021-03-14
放大器 輸出級(jí)晶體管 熱阻
- 電磁干擾下的生存指南:電流與電壓的底層技術(shù)博弈
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