【導讀】碳化硅（SiC）具有寬禁帶、高熱導率等優(yōu)良的材料特性，在中高壓功率半導體器件制造中得到了廣泛的應用。目前，肖特基二極管、mosfet和jfet是市場上最流行的SiC功率器件。特別是sic schottky二極管已經成功地應用于電力領域近20年。最早的SiC肖特基二極管采用純肖特基勢壘二極管（SBD）結構。后來，這種結構演變成一種結勢壘肖特基（JBS）具有低反向泄漏電流。最新的結構被稱為合并PN肖特基（MPS），表現(xiàn)出大幅增加的浪涌電流處理能力。
WeEn Semiconductors于2014年發(fā)布了基于100毫米SiC晶片的650V SiC MPS二極管，并于2017年發(fā)布了基于150毫米高質量SiC晶片的650V SiC MPS二極管。今年早些時候，基于成熟的150mm晶圓技術，WeEn推出了1200V SiC MPS二極管和AEC-Q101汽車認證的650V SiC MPS二極管。
公司擁有50多年的歷史，在功率半導體器件設計方面有著豐富的經驗。設計過程包括根據客戶需求設定設計目標、使用EDA工具進行器件和工藝模擬、掩模設計和工藝設計、制造、裝配和可靠性測試。經過多輪的試驗、優(yōu)化、壽命試驗和應用試驗，獲得了合格的優(yōu)化設計產品。
為了追求最佳的器件性能，在全WeEn-SiC肖特基二極管中采用了一種合并PN肖特基（MPS）結構。在高正向電流密度下，PN結將開始在二極管漂移區(qū)注入少數(shù)載流子（電導調制），并接管肖特基結的電流傳導。因此，在高電流密度下，MPS比傳統(tǒng)JBS結構具有更低的正向壓降。這使得MPS器件能夠承受更高的浪涌電流。但是，增大PN面積將導致肖特基面積減小。當雙極結構還不工作時，這會導致標稱正向電流下的“導通電阻”增加。因此，在標稱正向傳導能力和浪涌電流處理能力之間存在權衡。通過精心設計的P+島和獨特的歐姆接觸工藝，實現(xiàn)了對有效肖特基面積沒有顯著影響的有效浪涌電流傳導路徑。這使得WeEn-SiC-MPS二極管能夠在不損失標稱電流傳導能力的情況下具有優(yōu)異的浪涌電流處理能力。
圖1:WeEn-SiC MPS二極管的截面示意圖和電流分布
一種適于制造功率器件的SiC晶片由兩層組成：一層是厚的襯底層，另一層是生長在上面的薄外延層。厚實的基底使大型碳化硅晶圓具有在半導體加工、搬運和運輸過程中所需的機械穩(wěn)定性。然而，基底的電功能是最小的。二極管阻斷高反向電壓的功能被外延層覆蓋，只有在正向工作時，襯底才起到電流傳導路徑的作用。不幸的是，電流傳導路徑起著串聯(lián)電阻的作用。市面上可買到的SiC襯底沒有高摻雜濃度，因此串聯(lián)電阻非常明顯，特別是對于650V SiC器件。這會導致意外的功率損失。降低串聯(lián)電阻和功率損耗的一種方法是在半導體加工完成后使襯底層變薄，即所謂的襯底后研磨。
圖2:WeEn NXPSC04650 4A，650V MPS二極管與其他公司JBS二極管在25℃時正向I-V特性的比較
碳化硅是一種非常堅硬的材料，它對磨削等機械處理提出了幾個挑戰(zhàn)：防止裂紋、表面粗糙度和厚度均勻性。然而，領先的制造工藝和卓越的質量控制使WeEn能夠提供比市場上標準產品厚度僅1/3的SiC產品。這種很薄的芯片使SiC二極管具有更好的電流傳導能力和較低的熱阻。
嚴格的生產管理和質量控制是保證產品性能穩(wěn)定的重要因素。為了向客戶提供最可靠的碳化硅二極管產品，我們建立了全面的質量和可靠性控制系統(tǒng)和程序。所有SiC產品必須經過100%靜態(tài)參數(shù)測試、100%浪涌電流處理測試（IFSM）和100%雪崩能力測試（UIS）。產品符合JEDEC標準或更嚴格的可靠性測試要求；例如，將HTRB測試時間從1000小時延長到3000小時。
由于其優(yōu)良的材料特性，SiC肖特基二極管的性能比硅PN結二極管好得多。再加上先進的芯片設計能力和成熟的制造工藝，WeEn現(xiàn)在制造出了優(yōu)質的SiC肖特基二極管。
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