~展示高效的EcoGaN? 和SiC電源解決方案~
在今年于德國(guó)紐倫堡舉行的歐洲電力電子展（以下簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Europe）這場(chǎng)業(yè)界年度盛會(huì)期間（6月11日至13日），羅姆將展示功率半導(dǎo)體新解決方案，尤其是寬帶隙器件。羅姆豐富的SiC、Si和GaN系列產(chǎn)品組合旨在滿(mǎn)足各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域的需求，尤其是電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域和電源應(yīng)用領(lǐng)域。遵循“賦能增長(zhǎng)，推動(dòng)創(chuàng)新”的理念，羅姆始終持續(xù)用技術(shù)促進(jìn)可持續(xù)發(fā)展，解決社會(huì)和生態(tài)所面臨的各種問(wèn)題。
（展位號(hào)：9號(hào)館304）
羅姆在9號(hào)館304展位上展示的產(chǎn)品和產(chǎn)品亮點(diǎn)如下：
SiC（碳化硅）：
作為SiC行業(yè)佼佼者，羅姆將在PCIM Europe 2024上首次推出其適用于汽車(chē)應(yīng)用的新型SiC功率模塊。除此之外，羅姆還將展示生產(chǎn)工藝向8英寸SiC晶圓工藝的轉(zhuǎn)換，并探討有關(guān)SiC產(chǎn)品的未來(lái)發(fā)展方向。羅姆的第4代SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低的導(dǎo)通電阻，能夠更大程度地降低開(kāi)關(guān)損耗，并支持15V和18V柵源電壓。
GaN（氮化鎵）：
羅姆會(huì)通過(guò)多個(gè)評(píng)估套件展示EcoGaN?系列150V和650V級(jí)的GaN HEMT。Power Stage IC BM3G0xxMUV-LB（包含內(nèi)置650V GaN HEMT和柵極驅(qū)動(dòng)器）能夠?qū)崿F(xiàn)集成度更高、體積更小的PFC和QR（準(zhǔn)諧振）反激轉(zhuǎn)換器。這些器件能為各種需要高功率密度和效率的電子系統(tǒng)提供更佳解決方案。羅姆還將展示十余種EcoGaN?系列產(chǎn)品的相關(guān)電路板以及它們?cè)诠I(yè)解決方案中的貢獻(xiàn)。
展會(huì)期間，羅姆的電源專(zhuān)家將參加多個(gè)小組討論，并會(huì)發(fā)表多次會(huì)議演講。此外，他們還將在此次展會(huì)上展示相關(guān)海報(bào)。
有關(guān)羅姆在PCIM Europe 2024上的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：https://www.rohm.com/pcim
EcoGaN? 是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。
