Dual Cool封裝的產(chǎn)品特性：
- 采用頂部冷卻PQFN器件
- 可將功率耗散能力提高60%以上
- 實現(xiàn)低RDS(ON)和高負載電流
Dual Cool封裝的應用范圍：
- Dual Cool封裝用于MOSFET器件
為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導體公司 (FaIRchild SemicONductor) 開發(fā)出用于MOSFET 器件的Dual Cool封裝，Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術(shù)的頂部冷卻PQFN器件，可以通過封裝的頂部實現(xiàn)額外的功率耗散。
Dual Cool封裝具有外露的散熱塊，能夠顯著減小從結(jié)點到外殼頂部的熱阻。與標準PQFN封裝相比，Dual Cool封裝在配合散熱片使用時，可將功率耗散能力提高60%以上。此外，采用Dual Cool 封裝的MOSFET通過使用飛兆半導體專有的PowerTrench工藝技術(shù)，能夠以較小的封裝尺寸實現(xiàn)更低的RDS(ON)和更高的負載電流。
不同于其它采用頂部冷卻的解決方案，這些器件提供有Power33 (3.3mm x 3.3mm)和Power56 (5mm x 6mm) Dual Cool封裝選項。Dual Cool封裝保持與行業(yè)標準PQFN相同的占位面積，可讓功率工程師快速驗證采用Dual Cool封裝的MOSFET器件，無需采用非標準封裝，即可獲得更佳的熱效率。
目前采用Dual Cool封裝的器件包括FDMS2504SDC 、FDMS2506SDC 、FDMS2508SDC 、FDMS2510SDC (5mm x 6mm)和FDMC7660DC (3.3mm x 3.3mm)，這些器件是用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電信次級端整流和高端服務器/工作站應用的同步整流MOSFET的理想選擇。飛兆半導體Dual Cool 封裝MOSFET具有頂部冷卻和超低結(jié)溫(RthJA)特性，能夠提升熱效率。采用Dual Cool封裝的MOSFET器件可以使用或不使用散熱片。
Dual Cool封裝MOSFET是飛兆半導體行業(yè)領(lǐng)先的MOSFET產(chǎn)品系列的一部分，飛兆半導體通過了解空間受限應用對更高電流、更小占位面積DC-DC電源的需求，以及客戶和其服務的市場，量身定做具備獨特的功能、工藝和封裝創(chuàng)新組合的解決方案，在電子產(chǎn)品設計方面發(fā)揮重要的作用。
