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X-CUBE-STL：支持更多STM32， 揭開功能安全的神秘面紗
X-CUBE-STL 目前支持 STM32MP1、STM32U5、STM32L5、STM32H5和 STM32WL。實際上，這個最大的通用微控制器產(chǎn)品家族還在不斷擴大，將會有更多的產(chǎn)品支持SIL2和SIL3系統(tǒng)?？蛻舻拈_發(fā)團隊可以在ST最新的產(chǎn)品上開發(fā)滿足 IEC 61508、ISO 13849 和 IEC 61800 等要求 的應(yīng)用。此外，在ST網(wǎng)站的功能安全網(wǎng)頁...
2024-10-29
X-CUBE-STL STM32 微控制器
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揭秘電動汽車中直流鏈路電容器的奧秘（上）
直流鏈路電容器在功率轉(zhuǎn)換器中扮演著中間緩沖器的角色，連接著輸入源與輸出負(fù)載，適應(yīng)不同的瞬時功率、電壓和頻率。在電動汽車（EV）領(lǐng)域，它們不僅有效抵消逆變器、電機控制器及電池系統(tǒng)中電感的影響，還充當(dāng)濾波器，為電動汽車子系統(tǒng)提供保護，抵御電壓尖峰、浪涌及電磁干擾（EMI）的侵害。
2024-10-29
電動汽車 直流鏈路 電容器
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如何在設(shè)計中輕松搭載GaN器件？答案內(nèi)詳~~
如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認(rèn)為是突破傳統(tǒng)硅（Si）器件性能天花板的必由之路。
2024-10-27
GaN器件
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利用自動化技術(shù)賦能中國基礎(chǔ)設(shè)施現(xiàn)代化
許多中國基礎(chǔ)設(shè)施和運營（I&O）領(lǐng)導(dǎo)者在實施基礎(chǔ)設(shè)施現(xiàn)代化項目時，希望利用自動化技術(shù)來簡化和加快IT基礎(chǔ)設(shè)施資源的配置、管理和擴展。但是，中國企業(yè)的技術(shù)團隊往往各自為政，而技術(shù)專家又傾向于將自動化僅僅視為現(xiàn)有技術(shù)的延伸，導(dǎo)致自動化優(yōu)先任務(wù)之間的相互競爭，各團隊間的協(xié)作受到限制，削弱...
2024-10-27
自動化技術(shù) 基礎(chǔ)設(shè)施 Gartner
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電源中的分壓器
在電源設(shè)計中，可以手動設(shè)置所需的輸出電壓。大多數(shù)集成電源電路以及開關(guān)和線性穩(wěn)壓器 IC 都是通過分壓器來實現(xiàn)這一點的。兩個電阻值的比率必須合適才能設(shè)置所需的輸出電壓。圖 1 顯示了一個分壓器。
2024-10-27
電源 分壓器
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了解交流電壓的產(chǎn)生
交流電 (AC) 不斷反轉(zhuǎn)方向，交替流向一個方向，然后流向另一個方向。交流電壓也可以類似地描述。通常，交流電壓和電流是正弦曲線，峰值、平均值和有效值之間存在確定的關(guān)系。
2024-10-26
交流電壓
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克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應(yīng)用
隨著行業(yè)不斷探索解決方案，寬禁帶（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），被視為解決之道。禁帶寬度描述了價帶頂部和導(dǎo)帶底部之間的能量差。硅的禁帶寬度相對較窄，為1.1電子伏特（eV），而SiC和GaN的禁帶寬度分別為3.3eV和3.4eV。
2024-10-26
碳化硅 電力電子應(yīng)用
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【泰克先進半導(dǎo)體實驗室】 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開關(guān)能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮，主要在消費電子領(lǐng)域內(nèi)競爭價格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續(xù)推出，我們看到了它們在更廣泛市場應(yīng)用中的潛力。
2024-10-20
泰克 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體 氮化鎵 功率器件
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ADALM2000實驗：變壓器
變壓器只適用于交流電(AC)。例如，變壓器會通過將電壓降低到更合適的電平來降低120V壁式功率，對于大多數(shù)消費電子產(chǎn)品，降至僅幾伏；對于其他低功耗應(yīng)用，通常降至12V。變壓器還可以升高電壓以實現(xiàn)長距離傳輸，并降低電壓以實現(xiàn)安全配電。如果沒有變壓器，配電網(wǎng)絡(luò)中已經(jīng)很嚴(yán)重的電力浪費將大到驚人...
2024-10-19
變壓器 電平
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