【導(dǎo)讀】近日，意法半導(dǎo)體（ST）推出首款MDmesh V超結(jié)MOSFET晶體管，擴(kuò)大其高能效功率產(chǎn)品陣容。該產(chǎn)品采用了創(chuàng)新的4針?lè)庋b，增加專(zhuān)用控制輸入。新封裝技術(shù)可提高白色家電、電視、個(gè)人電腦、電信設(shè)備和服務(wù)器開(kāi)關(guān)電源等設(shè)備的功率電路能效。
新的TO247-4 4針?lè)庋b提供一個(gè)開(kāi)關(guān)控制專(zhuān)用直接源極針腳，而傳統(tǒng)封裝是開(kāi)關(guān)和電源共用一個(gè)針腳。增加的針腳能夠提高開(kāi)關(guān)能效，降低開(kāi)關(guān)損耗，支持更高的開(kāi)關(guān)頻率，進(jìn)一步降低電源尺寸。
該封裝是意法半導(dǎo)體與英飛凌的合作開(kāi)發(fā)成果，英飛凌也推出其新款超結(jié)器件，為客戶(hù)選購(gòu)超結(jié)MOSFET提供了另一個(gè)選擇。意法半導(dǎo)體功率晶體管產(chǎn)品部市場(chǎng)總監(jiān)Maurizio Giudice表示：“TO247-4具有很高的成本效益，用于替代標(biāo)準(zhǔn)TO-247 器件時(shí)，只需對(duì)印刷電路板布局略加修改，從而簡(jiǎn)化了該器件在電源系統(tǒng)的應(yīng)用。采用這一封裝的全新意法半導(dǎo)體MDmesh器件可提高工作能效，使終端設(shè)備更加節(jié)能環(huán)保。”
TO247-4封裝集成了實(shí)現(xiàn)至源極Kelvin連接的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這個(gè)連接旁通了主電源連接的共源電感，可消除高達(dá)60%的開(kāi)關(guān)損耗，設(shè)計(jì)人員可使用更高的開(kāi)關(guān)頻率和更小的濾波器件。新封裝結(jié)合意法半導(dǎo)體的MDmesh超結(jié)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)最高的單位硅面積導(dǎo)電效率及最好的總體節(jié)能效果。
圖：意法半導(dǎo)體（ST）首款MDmesh V超結(jié)MOSFET晶體管
此次推出的產(chǎn)品是STW57N65M5-4。作為首款TO247-4封裝的MDmesh產(chǎn)品，STW57N65M5-4可提高主動(dòng)功率因數(shù)校正（PFC）電路和全橋或半橋功率轉(zhuǎn)換器的能效，適用于各種消費(fèi)電子和工業(yè)電子產(chǎn)品。
TO247-4封裝的STW57N65M5-4的其他特性：
●高抗噪性，可降低電磁干擾（EMI）敏感度
●增強(qiáng)的額定電壓，可提高安全系數(shù)
●高耐dv/dt能力，可提高可靠性
●100%雪崩測(cè)試，可用于耐用性設(shè)計(jì)
STW57N65M5-4的供貨信息：
STW57N65M5-4現(xiàn)已量產(chǎn)。
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