-
晶閘管選型與應(yīng)用實戰(zhàn)指南：多維參數(shù)平衡與場景化設(shè)計深度解析
在電力電子領(lǐng)域，晶閘管猶如一把掌控電能流向的智能鑰匙，憑借其獨特的單向?qū)ㄌ匦院蛷?qiáng)大的功率處理能力，在工業(yè)控制、能源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域持續(xù)發(fā)揮著重要作用。隨著電力系統(tǒng)復(fù)雜度的提升，如何科學(xué)選型并充分發(fā)揮其性能，已成為工程師必須掌握的核心技能。
2025-04-08
-
第1講：三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史
三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史。
2024-08-01
-
如何在下一代 MCU 應(yīng)用中實現(xiàn)投影顯示
晶閘管是一種具有S形電流-電壓特性的半導(dǎo)體器件。它們是一種帶有狀態(tài)存儲器的托管按鍵，當(dāng)控制信號施加到晶閘管的輸入時，它們就會打開。當(dāng)使用直流電時，可以通過去掉電源電壓來關(guān)斷晶閘管。晶閘管的一個重大且不可避免的缺點是它們具有低輸入阻抗，重要的是，它們不具有調(diào)整開關(guān)閾值的能力。
2023-12-25
-
具有受控開關(guān)閾值的晶閘管模擬
晶閘管是一種具有S形電流-電壓特性的半導(dǎo)體器件。它們是一種帶有狀態(tài)存儲器的托管按鍵，當(dāng)控制信號施加到晶閘管的輸入時，它們就會打開。當(dāng)使用直流電時，可以通過去掉電源電壓來關(guān)斷晶閘管。晶閘管的一個重大且不可避免的缺點是它們具有低輸入阻抗，重要的是，它們不具有調(diào)整開關(guān)閾值的能力。
2023-12-22
-
超小尺寸，支持 750 V浪涌峰壓的SCR，是智能斷路器開發(fā)首選
X0115ML是一款由 ST設(shè)計的緊湊型可控硅整流器 (SCR)，用于接地故障斷路器 (GFCI)和電弧故障 斷路器 (AFCI)。它具有 750V的斷態(tài)浪涌 峰值電壓 ，并采用 SOT23-3L微型 封裝 (2.75mmx3.10mm)，可能是目前市場上最小的晶閘管 。使用 X0115ML可以大大節(jié)省電路板空間 ，并且讓工業(yè)應(yīng)用具有600V的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 。此外 ，該產(chǎn)品的爬電距離為1.1mm，滿足了UL 840規(guī)范 120VAC無涂層絕緣的要求 。
2023-11-26
-
晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計算
功率晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS旁路等場合。本文通過公式計算和在線IPOSIM仿真兩種方式，對晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計算和結(jié)溫預(yù)估進(jìn)行說明，給廣大工程師在晶閘管選型時提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應(yīng)用中的損耗計算，請參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計算》。
2023-08-03
-
晶閘管是怎么調(diào)節(jié)燈泡亮度的？
那有什么辦法可以控制這個燈的亮度嗎？當(dāng)然有了，那就是晶閘管，它是很重要的，交流控制器件，比如調(diào)節(jié)交流電的燈光亮度，調(diào)節(jié)電水壺水溫，還有風(fēng)扇無極調(diào)速，都可以用晶閘管實現(xiàn)。
2023-06-23
-
SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢
SMPD可用于標(biāo)準(zhǔn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術(shù)產(chǎn)品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。
2023-06-07
-
可控硅工作解析
可控硅又叫晶閘管，和其它半導(dǎo)體器件一樣，具有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。可控硅作為非常成熟的半導(dǎo)體器件，從弱電到強(qiáng)調(diào)，消費電子到工業(yè)等都得到廣泛應(yīng)用，可以作為整流、無觸點電路開關(guān)以及逆變應(yīng)用等，本章重點對于其結(jié)構(gòu)以及等效電路展開分析，有助于讀者加深對于可控硅產(chǎn)品的了解與認(rèn)知。
2023-04-25
-
針對高壓應(yīng)用優(yōu)化寬帶隙半導(dǎo)體器件
自從寬帶隙材料被引入各種制造技術(shù)以來，通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導(dǎo)體器件就可以實現(xiàn)高效率。為了優(yōu)化可控制造技術(shù)，可以使用特定的導(dǎo)通電阻來控制系統(tǒng)中的大部分功率器件。對于功率 MOSFET，導(dǎo)通電阻仍然是優(yōu)化和摻雜其單元設(shè)計的關(guān)鍵參數(shù)。電導(dǎo)率的主要行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)是材料技術(shù)中的特定導(dǎo)通電阻與擊穿電壓（R sp與 V BD ）。
2023-04-13
-
簡述SiC MOSFET短路保護(hù)時間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導(dǎo)致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
-
IGBT和MOSFET該用誰？你選對了嗎？
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式半導(dǎo)體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。隨著新能源汽車、智能家電、5G、軌道交通等行業(yè)的興起，MOSFET和IGBT也迎來了發(fā)展的春天。
2022-01-26
- 從噪聲抑制到功耗優(yōu)化：CTSD如何重塑現(xiàn)代信號鏈架構(gòu)
- 【車內(nèi)消費類接口測試】泰克助力DisplayPort及eDP在車載顯示領(lǐng)域的應(yīng)用
- 基于賽靈思、紫光芯片開發(fā)的FPGA高速通信開發(fā)板，適用于圖像處理、工業(yè)控制場景
- 從硅到碳的跨越：EA10000電源技術(shù)路線對比與選型指南
- 智能無線工業(yè)傳感器設(shè)計完全指南
- 借力 Mendix 低代碼，加速博世汽車電子數(shù)字化轉(zhuǎn)型
- 自主生態(tài)護(hù)城河：數(shù)字化轉(zhuǎn)型的可持續(xù)競爭力構(gòu)建
- 硅光技術(shù)新突破：意法半導(dǎo)體PIC100開啟數(shù)據(jù)中心高能效時代
- 從智能座艙到駕控大腦：AMTS帶你暢游上海車展黑科技海洋
- 關(guān)稅風(fēng)暴下車企們的生存法則：漲價+清庫+轉(zhuǎn)產(chǎn)三軸突圍
- 華為、地平線、大眾等企業(yè)引領(lǐng)汽車技術(shù)變革，來AMTS 2025了解更多汽車行業(yè)發(fā)展前景
- 5mW待機(jī)功耗突圍戰(zhàn)！AC-DC電源待機(jī)功耗逼近物理極限
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
