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輕微的記憶效應(yīng)本身對功率放大器的線性度并無嚴重影響。即在雙音頻測試中，隨著音頻間隔的增加，如果放大器三階交調(diào)分量的相位旋轉(zhuǎn)不超過10o，且幅度起伏不大于0.5dB，此時功放的記憶效應(yīng)不會明顯影響鄰近信道功率比，可以不予考慮。然而，當功率放大器的上下邊帶的ACPR（an adjacent channel power ratio，相鄰信道功率比）出現(xiàn)較大不對稱現(xiàn)象時，即使三階、五階交調(diào)分量的相位和幅度失真很小，也不能忽略記憶效應(yīng)對放大器的影響。

 

2 、減弱功放記憶效應(yīng)的基本思路

 

功放記憶效應(yīng)使射頻預(yù)失真線性化功率放大器的效果有很大退化，為增強射頻預(yù)失真線性化功率放大器的穩(wěn)定性和可靠性，需對所設(shè)計的功率放大器進行減弱記憶效應(yīng)的相關(guān)處理。

 

降低記憶效應(yīng)的基本想法是：通過附加電路濾除由包絡(luò)和二次諧波控制的三階交調(diào)分量。最簡便的方法是在四分之一波長傳輸線后面的偏置線上，添加輔助電路使包絡(luò)信號和二次諧波短路，但由于傳輸線的離散作用，使得這種方法難以實現(xiàn)寬帶短路。因此，短路電路網(wǎng)絡(luò)應(yīng)當直接加在緊靠柵極和漏極的地方，而不必經(jīng)過四分之一波長傳輸線才短路。短路網(wǎng)絡(luò)可使用LC串聯(lián)電路實現(xiàn)。

 

3、 采用附加電路法減弱功放記憶效應(yīng)分析

 

使用附加電路濾除由包絡(luò)和二次諧波控制的三階交調(diào)分量，對減小功率放大器的記憶效應(yīng)是有效的，現(xiàn)分析如下：

 

假設(shè)信號的中心頻率為f_{0}、帶寬為f_{U}-f_{L}，并帶有二次諧波和包絡(luò)分量。它的頻譜如圖1所示。

 

通過利用功率放大器減弱功放記憶效應(yīng)電路的設(shè)計

 

信號的中心頻率可表示為

 

f_{0}=frac{f_{U}+f_{L}}{2}≈sqrt{f_{U}f_{L}} （1）

 

晶體管的一種理想輸出端口匹配電路拓撲如圖2。

 

 

輸入端口的匹配電路拓撲同樣采用上面的結(jié)構(gòu)。圖中包括濾除二次諧波和包絡(luò)的LC諧振回路和基波的最優(yōu)匹配電路。為了使濾除二次諧波的LC諧振回路對二次諧波2f_{U}和2f_{L}具有相同的阻抗，則L2與C2組成的諧振回路須在頻率2sqrt{ω_{U}ω_{L}}處振蕩，即

 

L_{2}C_{2}=1/（4ω_{U}ω_{L}）≈1/（2ω_{0}）^{2} （2）

 

假設(shè)濾除包絡(luò)的LC諧振回路和基波匹配電路的阻抗在二次諧波頻率處非常大，則輸出負載阻抗Z_{L}，_{ext}（2f_{U}）和 Z_{L}，_{ext}（2f_{L}）是共軛的，它們的模為

 

∣Z_{L，ext}（2f_{U}）∣=∣Z_{L，ext}（2f_{L}）∣=4πL_{2}（f_{U}-f_{L}） （3）

 

顯然，Z_{L，ext}（2f_{U}）和Z_{L，ext}（2f_{L}）與電感L2和信號帶寬有關(guān)。

 

為了將包絡(luò)信號短路，須使用一個大電容Cg。同樣地，假設(shè)濾除二次諧波的LC回路和基波匹配電路在信號帶寬頻率處的阻抗非常大，則Z_{L，ext}（f_{U}-f_{L}）的模可表示為

 

∣Z_{L，ext}（f_{U}-f_{L}）∣=2πL_{e}（f_{U}-f_{L}） （4）

 

若電感L2與Le的值相同，那么阻抗Z_{L，ext}（f_{U}-f_{L}）將是Z_{L，ext}（2f_{U}）的二分之一。最后，需要匹配的優(yōu)化基波阻抗為

 

jX_{opt}（ω）=［jωL_{2}+1/（jωC_{2}）］// jωL_{e}// jωC_{ds} （5）

 

其中ω_{L}≤ω≤ω_{U}，如果濾除二次諧波和包絡(luò)的LC諧振回路在基波頻率處的阻抗非常小，則在實際中難以將這個優(yōu)化基波阻抗匹配到實際的負載阻抗，故匹配的難度將限制L2、Le和C2的取值。根據(jù)要求，可以得到濾除二次諧波和包絡(luò)的LC諧振回路的最小阻抗值。因此，在設(shè)計短路網(wǎng)絡(luò)的時候，應(yīng)注意使濾除二次諧波和包絡(luò)的LC諧振回路在基波頻率處的阻抗要大于這個最小值。

 

4、 某軍用集群系統(tǒng)基站降低功放記憶效應(yīng)的實現(xiàn)

 

軍用集群系統(tǒng)所用的頻率范圍一般為400~420MHz，其基站的功率放大器通常使用封裝后的晶體管，故實際中不得不考慮封裝引腳的電感效應(yīng)。當和外部匹配電路配合使用時，封裝引腳的寄生電感具有改善晶體管的穩(wěn)定性、增加有用帶寬的優(yōu)點。以MRF5P21180HR6 LDMOSFET為例，這種晶體管由兩個90W的功率單元構(gòu)成，能達到180W的功率峰值。封裝后單個功率單元的等效電路如圖3所示。

 

 

在包絡(luò)這種低頻下，小電容的阻抗非常大，并聯(lián)結(jié)構(gòu)中可忽略不計。則針對包絡(luò)分量的阻抗和頻率ω、Lg1、Lg2和Ld2有關(guān)系，并可求出阻抗Z_{S，ext}（f_{U}-f_{L}）和Z_{l，ext}（f_{U}-f_{L}）的表達式：

 

∣Z_{S，ext}（f_{U}-f_{L}）∣=2π（L_{g1}+L_{g2}+L_{e}）（f_{U}-f_{L}） （6）

 

∣Z_{S，ext}（f_{U}-f_{L}）∣=2π（L_{d2}+L_{e}）（f_{U}-f_{L}） （7）

 

另一方面，對于二次諧波分量，柵極和漏極外相應(yīng)的阻抗Z‘_{S，ext}（ω=2ω_{1}≈2ω_{2}）和Z’_{L，ext}（ω=2ω_{1}≈2ω_{2}）的表達式為，

 

Z‘_{S，ext}（ω=2ω_{1}≈2ω_{2}）=-﹛1/jωC_{pad}/2）//［jωL_{g2}+ （jωL_{g1}//1/jωC_{g，mos}）］﹜（8）

 

Z’_{L，ext}（ω=2ω_{1}≈2ω_{2}）=？［1/（jωC_{pad}/2）//jωL_{d2} （9）

 

等式（8）、（9）很容易用包含串聯(lián)LC諧振回路的匹配電路實現(xiàn)，這是因為二次諧波分量的相對帶寬要比包絡(luò)分量的相對帶寬窄得多，故濾除包絡(luò)分量比濾除二次諧波分量的難度更大。因此，包絡(luò)分量對記憶效應(yīng)的作用要比二次諧波分量更大。在實際應(yīng)用中，由于包絡(luò)分量對功率放大器的記憶效應(yīng)起主要作用，故一般只對濾除包絡(luò)分量的輔助電路進行優(yōu)化，高頻下可用某些寄生參數(shù)較強的大電容（如鉭電容）來代替濾除包絡(luò)分量的串聯(lián)LeCe諧振回路。