【導(dǎo)讀】在嵌入式電路設(shè)計中，很少使用到功率放大電路，昨天將大學(xué)模電教材晶體管內(nèi)容通讀后有所感悟，雖然當(dāng)時模電自認(rèn)為學(xué)的不錯但重讀之后才發(fā)現(xiàn)當(dāng)時只是死記硬背而沒有真正領(lǐng)悟。這里班門弄斧的來給大家總結(jié)下嵌入式電路設(shè)計中的三極管基礎(chǔ)電路。
開關(guān)器件
在嵌入式電路中經(jīng)常使用IO口來控制某些電路的開關(guān)功能，此時三極管可作為開關(guān)器件來使用。作為開關(guān)器件使用時需使用開關(guān)三極管如9014和9015等小功率器件，此時三極管處于飽和狀態(tài)?，F(xiàn)舉一例來說明該類電路特點：
為仿真電路圖不是很完整，該電路為晶振關(guān)閉功能電路，其中VO接MCU晶振輸入端如（XIN）。
若Q1和Q3基極同時為低時，Q2導(dǎo)通而使得VO為0造成晶振停振關(guān)閉處理器。我們分析R3和R4（實際電路470K）使得Q2和Q3處于飽和態(tài);Q3 為Q1集電極負(fù)載，調(diào)整R5阻值時可控制Q1處于飽和態(tài)或放大態(tài)。要使Q2基極導(dǎo)通必須使Q1提供足夠大電流才滿足條件，只有Q1處于放大態(tài)才滿足條件;
R5=100K時，仿真圖如下：
R5=470K時，仿真圖如下：
通過以上分析可以得出只有當(dāng)電流足夠大時才能使Q2導(dǎo)通而關(guān)閉晶振，以上是一個較復(fù)雜的組合開關(guān)電路。
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功率器件
在嵌入式電路設(shè)計中，很少使用到功率放大電路，昨天將大學(xué)模電教材晶體管內(nèi)容通讀后有所感悟，雖然當(dāng)時模電自認(rèn)為學(xué)的不錯但重讀之后才發(fā)現(xiàn)當(dāng)時只是死記硬背而沒有真正領(lǐng)悟。
靜態(tài)工作點不但決定是否會失真，而且還影響電壓放大倍數(shù)、輸入電阻等動態(tài)參數(shù)。然而在實際電路中由于環(huán)境溫度的變化而使得靜態(tài)工作點補穩(wěn)定，從而使得動態(tài)參數(shù)不穩(wěn)定，更嚴(yán)重可能造成電路不能正常工作;在所有環(huán)境因素中，溫度對動態(tài)參數(shù)的影響是最大的。
當(dāng)溫度升高時，晶體管放大倍數(shù)變大且ICE明顯變大。以共射極電路為例，當(dāng)溫度升高時將使Q點向飽和區(qū)域移動;當(dāng)溫度降低時將使Q點向截止區(qū)域移動。
下圖是典型的靜態(tài)工作點電路
圖AB均有相同的等效直流電路。為了穩(wěn)定Q工作點，通常要滿足I1》》IBQ而使得
VBQ =Rb1*VCC/ Rb2+ Rb1
通過這樣設(shè)計使得無論環(huán)境溫度怎么變化，VBQ將基本保持不變。
當(dāng)溫度升高時ICE變大，而使得VEQ變大，因VBE=VBQ – VEQ所以VBE將變小;由于VBE變小故IBE也將變小，從而ICE將變小。
RE的使用將直流負(fù)反饋引入使得Q工作點越穩(wěn)定，一般而言是反饋越強，Q點越穩(wěn)定。
其他穩(wěn)定Q工作點電路
以上為利用二極管方向特性和正向特性進行溫度補償?shù)碾娐贰?/div>
對圖A而言，因為IRB=ID+IBE，當(dāng)溫度上升時ICE和ID變大（方向電流隨溫度升高變大），這樣將使得IBE減小而造成ICE減小。
