【導(dǎo)讀】雖然長(zhǎng)期來(lái)看，IGBT的增長(zhǎng)前景很樂(lè)觀，是一個(gè)值得期待的市場(chǎng)，可是到目前為止IGBT的核心技術(shù)和產(chǎn)業(yè)為大多數(shù)歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控，本土廠商想要打破國(guó)外企業(yè)對(duì)國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)壟斷，還需要很多努力。
由于功率輸出較高、尺寸較小，以及在終端應(yīng)用中的可靠性，IGBT模組廣泛應(yīng)用于從消費(fèi)電子領(lǐng)域到工業(yè)電子領(lǐng)域的幾乎所有電子產(chǎn)業(yè)。特別是在綠色能源、汽車(chē)與工業(yè)設(shè)備等市場(chǎng)中得到了大量的使用。IHSiSuppli公司甚至預(yù)測(cè)IGBT將會(huì)是明年電源管理半導(dǎo)體增長(zhǎng)的主要推動(dòng)力。
雖然長(zhǎng)期來(lái)看，IGBT的增長(zhǎng)前景很樂(lè)觀，是一個(gè)值得期待的市場(chǎng)，可是到目前為止IGBT的核心技術(shù)和產(chǎn)業(yè)為大多數(shù)歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控。由于IGBT是硅功率器件中技術(shù)難度比較大的產(chǎn)品之一，國(guó)內(nèi)廠商還不具備研發(fā)、制造管芯的能力，以及大功率IGBT的封裝能力，大部分都需要依賴(lài)進(jìn)口?，F(xiàn)階段，國(guó)內(nèi)的IGBT市場(chǎng)幾乎被歐美、日本企業(yè)所壟斷，比如ST、Semikron、IR、Fairchild、Infineon、Fuji、Toshiba等。
近幾年來(lái)，隨著中國(guó)IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步，中國(guó)本土企業(yè)在IGBT產(chǎn)業(yè)方面也有所突破。2010年底，中國(guó)北車(chē)山西永濟(jì)電機(jī)公司成功下線首批大功率IGBT產(chǎn)品;2011年初，華虹NEC實(shí)現(xiàn)了在8寸生產(chǎn)線上量產(chǎn)非穿通型的1200V的民用產(chǎn)品;中國(guó)南車(chē)投資建立的國(guó)內(nèi)最大規(guī)模的IGBT產(chǎn)業(yè)基地，預(yù)計(jì)2013年也會(huì)正式投產(chǎn)。
筆者曾跟一家做IGBT產(chǎn)品的負(fù)責(zé)人聊天時(shí)，他就提到，目前國(guó)內(nèi)廠商主要生產(chǎn)一些小功率的IGBT產(chǎn)品，應(yīng)用的范圍也比較有限，主要集中在電磁爐、變頻空調(diào)、變頻洗衣機(jī)等產(chǎn)品中，對(duì)于軌道交通裝備行業(yè)、智能電網(wǎng)、工業(yè)變頻、新能源和電動(dòng)汽車(chē)等需要大功率和高可靠性的行業(yè)應(yīng)用太少。所掌握的核心技術(shù)也太少，制造生產(chǎn)工藝與先進(jìn)功率器件半導(dǎo)體廠商之間的差距也比較大。國(guó)內(nèi)IGBT廠商基本上采用的是第二代、第三代的生產(chǎn)工藝，而先進(jìn)功率器件半導(dǎo)體廠商的IGBT產(chǎn)品都采用第五代、第六代的生產(chǎn)工藝了。同時(shí)，他也說(shuō)，雖然目前他們采用的是Fabless模式來(lái)生產(chǎn)IGBT產(chǎn)品的，但如果真正要做出好的IGBT產(chǎn)品，IDM模式才是最好的模式。
雖然中國(guó)的消費(fèi)電子和工業(yè)控制領(lǐng)域?qū)GBT產(chǎn)品的需求都很大，可本土廠商想要打破國(guó)外企業(yè)對(duì)國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)壟斷，還需要很多努力。
