控制MOSFET和輸出整流器振鈴可減少電磁干擾 (EMI) 和電壓應(yīng)力。在許多情況下，這使您能夠使用更低電壓的部件，從而降低成本并提高效率。另外，多輸出SEPIC可改善輸出之間的交叉穩(wěn)壓，從而消除對于線性穩(wěn)壓器的需求。
圖1 顯示的是一個(gè)SEPIC轉(zhuǎn)換器，像反向轉(zhuǎn)換器一樣它具有最少的部件數(shù)量。實(shí)際上，如果去除C1，該電路就是一個(gè)反向轉(zhuǎn)換器。該電容可提供對其所連接半導(dǎo)體的電壓鉗位控制。當(dāng)MOSFET開啟時(shí)，該電容通過MOSFET對D1的反向電壓進(jìn)行鉗位控制。當(dāng)電源開關(guān)關(guān)閉時(shí)，在D1導(dǎo)電以前漏電壓一直上升。在關(guān)閉期間，C1通過 D1和C2對MOSFET漏電壓進(jìn)行鉗位控制。具有多個(gè)輸出端的SEPIC轉(zhuǎn)換器對繞組比構(gòu)成限制。其中的一個(gè)次級繞組對初級繞組的匝比需為1:1，同時(shí)C1必須與之相連接。在圖1所示的示例電路中，12-V 繞組的匝比為1:1，但它可能已經(jīng)使用了5-V繞組作為替代。
圖1 多輸出 SEPIC 轉(zhuǎn)換器
圖1所示電路已經(jīng)構(gòu)建完成，并經(jīng)過測試。分別將其作為帶C1的 SEPIC 和沒有C1的反向轉(zhuǎn)換器運(yùn)行。圖 2 顯示了兩種運(yùn)行模式下的MOSFET電壓應(yīng)力。在反向模式下，MOSFET漏極約為40V，而在 SEPIC模式下漏電壓僅為25V。因此，反向設(shè)計(jì)不得不使用一個(gè) 40-V或60-V MOSFET，而SEPIC設(shè)計(jì)只需使用一個(gè)額定值僅為30V的MOSFET。另外，就EMI濾波而言，高頻率（5 MHz 以上）振鈴將是一個(gè)嚴(yán)重的問題。
完成對兩種電路的交叉穩(wěn)壓測量后，您會發(fā)現(xiàn)SEPIC大體上更佳。兩種設(shè)計(jì)中，5 V額定電壓實(shí)際值為5.05 V，負(fù)載在0到滿負(fù)載之間變化，同時(shí)輸入電壓被設(shè)定為12V或24V。SEPIC的12V電壓維持在10%穩(wěn)壓頻帶內(nèi)，而反向轉(zhuǎn)換器的12V電壓則上升至30V（高線壓輸入，12V無負(fù)載，5V全負(fù)載）。如果根據(jù)低電壓應(yīng)力選擇功率部件，那么即使這兩種結(jié)構(gòu)的效率相同人們也會更傾向于使用SEPIC。
圖2 SEPIC極大地降低了EMI和電壓應(yīng)力。上圖沒有C1，而下圖則安裝了C1。
總之，對非隔離式電源而言，SEPIC是一種重要的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它將 MOSFET電壓應(yīng)力鉗位控制在一個(gè)等于輸入電壓加輸出電壓的值，并消除了反向轉(zhuǎn)換器中的EMI。減少的電壓應(yīng)力允許使用更低電壓的部件，從而帶來更高效率和更低成本的電源。EMI的降低可以簡化最終產(chǎn)品的合規(guī)測試。最后，如果配置為多輸出電源，則其交叉穩(wěn)壓將優(yōu)于反向轉(zhuǎn)換器。
