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TDK中國(guó)營(yíng)業(yè)統(tǒng)括部統(tǒng)括部長(zhǎng)南研造接受媒體專訪：提高耐熱性是被動(dòng)元件發(fā)展的一個(gè)新方向
1935年，鐵氧體的發(fā)明人，當(dāng)時(shí)任教日本東京工業(yè)大學(xué)電化學(xué)系的加藤與五郎博士和武井武博士創(chuàng)立了東京電氣化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社，從事磁性材料的商業(yè)開(kāi)發(fā)和運(yùn)營(yíng)。1983年，該公司正式更名為T(mén)DK株式會(huì)社，取的是原名稱Tokyo（東京） Denki（電氣） Kagaku（化學(xué)）的首字母（中文公司譯名：東電化）。
2008-07-17
被動(dòng)元件
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TG-5005CG：Epson Toyocom搭載了QMEMS印制蝕刻芯片的小型TCXO
Epson Toyocom公司開(kāi)始批量生產(chǎn)針對(duì)手機(jī)終端的GPS，在小型且高精度TCXO（溫度補(bǔ)償晶體振蕩器）TG-5005CG中搭載了使用QMEMS技術(shù)制作的印制蝕刻芯片的產(chǎn)品。
2008-07-16
TG-5005CG TCXO 溫度補(bǔ)償晶體振蕩器
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VSA101：Vishay 新型VSA101超高精度軸向 Z 箔電阻
Vishay推出新型 VSA101軸向 Bulk Metal Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C～+60°C 以及 -55°C～+125°C的溫度范圍內(nèi)分別具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低絕對(duì) TCR、額定功率時(shí) ±5 ppm 的出色 PCR（“?R，由于自加熱”）、±0.005% 的容差，以及 ±0.005% 的負(fù)載壽命穩(wěn)定性。
2008-07-16
VSA101 Z 箔電阻 軍用級(jí)
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STV250N55F3：意法半導(dǎo)體新250A功率MOSFET
意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。
2008-07-16
MOSFET STV250N55F3
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30CTT045/60CPT045：Vishay第5 代高性能45V肖特基二極管
Vishay宣布推出最大結(jié)溫高達(dá) +175°C 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二極管。30CTT045 與60CPT045器件基于亞微米溝槽技術(shù)，可提供超低的正向壓降以及低反向漏電流，從而可使設(shè)計(jì)人員提高汽車及其他高溫應(yīng)用中的功率密度。
2008-07-11
30CTT045 60CPT045 肖特基二極管 diode
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P10L：Vishay Sfernice微型面板電位計(jì)
Vishay宣布推出具有長(zhǎng)久使用壽命、溫度系數(shù)低至 ±150 ppm/°C 且具有 9.6mm 小型尺寸的新型低成本面板電位計(jì)。
2008-07-11
P10L 電位計(jì)
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L4600A：安捷倫全新便攜式無(wú)線電測(cè)試儀
安捷倫科技公司（NYSE：A）日前推出結(jié)構(gòu)堅(jiān)固的便攜式無(wú)線電測(cè)試儀，它的一鍵式功能型測(cè)試可以在軍用外場(chǎng)維護(hù)和中間級(jí)維護(hù)節(jié)省培訓(xùn)和測(cè)試使用時(shí)間。
2008-07-10
無(wú)線電測(cè)試儀 測(cè)試工具
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